1200V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 วี-20

IGBT อินเวอร์เตอร์/ IGBTกลับกัน变器

ค่าเฉลี่ยสูงสุด/最大额定值 ราคาสูงสุด

รายการ

สัญลักษณ์

เงื่อนไข

มูลค่า

หน่วย

集电极-发射极电压

ชุดเก็บของโลตติจอร์

VCES

Tvj= 25°C ,VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

กระแสไฟฟ้าแบบต่อเนื่องในคอลเลคเตอร์

ฉันC นาม

TC= 105 °C Tvjmax= 175°C

600

A

集电极重复峰值电流 อัตราการไหลของไฟฟ้า

สูงสุด ซ้ําซ้ํา เครื่องสะสม ปัจจุบัน

ฉันCRM

tp=1ms

1200

A

ความดันไฟฟ้าสูงสุด

หน่วยออกประตูสูงสุด vอายุสูง

VGES

±20

V

ค่านิยมที่เป็นลักษณะ/ 特征值

รายการ

สัญลักษณ์

เงื่อนไข

นาที แบบ แม็กซ์

หน่วย

集电极-发射极?? 和电压

คอลเลคเตอร์-เอมีเตอร์ ความอิ่ม ความกระชับ

VCE(นั่ง)

ฉันC= 600A,Vสาธารณธรรม= 15V

Tvj= 25°C Tvj= 125 °C Tvj= 150°C

1.53

1.71

1.83

V

V

V

ความดันไฟฟ้าที่สูงสุด

ประตู ขั้นต่ํา ความกระชับ

VGE ((th)

ฉันC= 24mA, VCE=Vสาธารณธรรม, Tvj= 25°C

5.5

V

อุปกรณ์ไฟฟ้า

ค่าประตูe

QG

Vสาธารณธรรม=-15V +15V ฉันC= 600A, VCE= 600 วอล

4.1

uC

ภายใน

เครื่องต่อรองประตูภายใน

Rกินท์

Tvj= 25°C

2

Ω

ความจุไฟฟ้า

ความจุเข้า

Cง

Tvj= 25 °C

76

nF

集电极-ราคาไฟฟ้า

ผู้สะสมกระแสตัดของเครื่องปล่อย

ฉันCES

VCE= 1200V, Vสาธารณธรรม=0V,

Tvj= 25°C Tvj= 125 °C Tvj= 175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

อุณหภูมิ

การส่งสัญญาณทางประตูt กระแสรั่ว

ฉันGES

VCE=0V, Vสาธารณธรรม=±20V, Tvj= 125 °C

- 150 บาท 150

nA

เปิดเวลาล่าสุด(อุปทานไฟฟ้า载)

td(ใน)

Tvj= 25°C Tvj= 125 °C

435

488

ns

ns

ความช้าในการเปิด เวลา, ความจุ

Tvj= 175°C

510

ns

上升时间(อุตสาหะไฟฟ้า)

Tvj= 25°C

156

ns

เวลาขึ้น

Tvj= 125 °C Tvj= 175°C

202

225

ns

ns

关断延迟时间(รู้สึกไฟฟ้าภาระ)

การปิด การช้า เวลา, ความจุ

td(ออกไป)

ฉันC= 600A, VCC =600V

Vสาธารณธรรม= ± 15 วอลต์

RG=0.51Ω

CGE=0 nF

อุปสรรค Lหนอง

Tvj= 25°C Tvj= 125 °C Tvj= 175°C

Tvj= 25°CTvj= 125 °C Tvj= 175°C

385

417

427

ns

ns

ns

下降时间(อุตสาหะไฟฟ้า)

เวลาตก, อุปสรรคภาระ

tf

112

148

176

ns

ns

ns

หมดพลังงาน(ทุกเส้นเลือด冲)

95

mJ

ความเสียของพลังงานในการเปิดต่อจังหวะ

Eใน

140

171

mJ

mJ

หมดพลังงาน(每脉冲)

67

mJ

การสูญเสียพลังงานปิดต่อ pulpse

Eออกไป

99

115

mJ

mJ

ข้อมูลทางสั้น

SC ข้อมูล

ฉันSC

Vสาธารณธรรม= 15V, VCC= 900V

VCEM CHIP ≤ 1200V ,Tvj= 175°C

2500

A

结-外?? 热阻

อุณหภูมิ ต้านทานหนทางเข้าสู่ กรณี

RthJC

ต่อ IGBT /ทุกคนIGBT

0.05

K/W

ภูมิการทํางาน

อุณหภูมิภายใต้การสลับ cสถานะ

Tvjop

- 40150

°C